概要：设计了一种用HHNEC0.35mBCD工艺构建的LDO线性稳压器，该LDO是一款低功耗，比特率大的高压劣线性稳压器。对其结构和工作原理展开分析，辩论了关键电路的设计，仿真结果检验了设计的正确性。
1章节 随着集成电路规模的发展，电子设备的体积、重量和功耗更加小，这对电源电路的集成化、小型化及电源管理性能明确提出了更加低的拒绝。而随着片上系统（SOC）的大大发展，单片构建的LDO线性稳压器的应用于也更加普遍［1］。
对于片内的LDO，最担忧的是寄生电容过大引发不平稳，论文针对片内应用于而设计的这款LDO，能确保在uF级别的寄生电容范围内都可以长时间工作，却是寄生电容再行大也不至于是F级别的。功耗是LDO线性稳压器的最重要指标之一，一般的LDO功耗都在几十A以上，例如文献［2］中电路的静态电流为38A，文献［3］中静态功耗高达65A，而本文的静态功耗做10A左右，不仅功耗较低，本文中第二级靠电阻的电流关系获取了一个小增益级，并且提升了整个LDO的比特率。
2LDO电路构成原理与关键模块设计 2.1电路基本工作原理 图1是LDO线性稳压器的结构框图，由下面几个部分构成：基准电压源（Vref）、误差放大器、同互为放大器、对系统电阻网络、调整管等。其中基准电压源输入参照电压Vref，拒绝它精度高，甘漂小。误差放大器将输入对系统回去的电压与基准电压Vref展开较为，并缩放其差值，其经过同互为放大器来掌控调整功率管的状态，因而使输入平稳。在这里C1是前馈电容，可以提升阻抗调整亲率，并减少了一个左零点补偿，Cff获取一个零点补偿。
第一级放大器就是一个差分对，和大多数误差放大器结构一样，第二级为同互为缩放级，靠电阻的电流关系获取一个小增益级，并掌控比特率。相对于普通结构而言的，如果靠运放必要驱动功率管，那比特率就被功率管的寄生电容和运放输出阻抗和增益要求了，而这个结构的增益和输出阻抗，比起运放小很多，比特率大自然就提升很多。表格1为该LDO的主要设计参数和性能指标。 图1LDO线性稳压器结构示意图 表格1LDO的设计参数和性能指标 2.2电路构成与设计 （1）调整管结构设计：MOS型线性稳压器的调整管是电压驱动的，能大大降低器件消耗的静态电流，而且其较小的导通电阻使得漏失电压也较为较低，从而提升了电源的切换效率［4］。
根据调整管的平方亲率关系式以及设计指标Vdropout200mV，可以计算出来出有调整管的宽长比，融合调整管的栅极寄生电容以及工艺的拒绝，在牵引情况下考虑到调整管需工作在线性区，将调整管的宽长设计为：W=6000m，L=0.5m。 （2）电阻R1与R2自由选择：输入电压由对系统网络要求，根据VOUT=VREF［（R1+R2）/R1］，被选为以定的VREF=1.25V，R1=625K，那么R2=625K。 2.3误差放大器（EA）设计 误差放大器电路原理图如图2右图。
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